杨雅芬

基本信息

姓名：杨雅芬

职称：青年研究员

联系方式：见黄页

电子邮件：yafen_yang@dhu.edu.cn

研究方向：低维半导体材料与微纳器件、宽禁带半导体材料与功率器件

个人简介：主要从事基于低维半导体材料的新型低功耗器件以及基于宽禁带半导体材料的低损耗功率器件与集成技术研究。以第一/通讯作者发表集成电路领域高水平论文15篇，其中包括微电子器件领域国际顶会IEEE IEDM，期刊IEEE EDL、IEEE TED、IEEE TCAD等。申请集成电路相关发明专利20余项，其中已授权6项。主持国家自然科学基金青年科学基金项目C类1项和集成电路领域产学研合作横向项目3项。

学习和工作经历

2026/02-至今                 东华大学                青年研究员

2021/07-2025/12            复旦大学                助理研究员

2018/09-2021/06            复旦大学                微电子学与固体电子学博士

2014/09-2018/06            中国科学院大学   有机化学硕士

2010/09-2014/06            河南师范大学        化学学士

科研成果

以第一/通讯作者发表集成电路领域高水平论文15篇，其中包括微电子器件领域国际顶会IEEE IEDM，期刊IEEE EDL、IEEE TED、IEEE TCAD等。申请集成电路相关发明专利20余项，其中已授权6项。主持国家自然科学基金青年科学基金项目C类1项和集成电路领域产学研合作横向项目3项。

科研论文

1)Yafen Yang; Jianbin Guo; Tianyang Feng; David Wei Zhang; Hang Xu, Impact of Oxide Diffusion Space Effect on 14-nm FinFET Performance and Layout-Driven Optimization for Advanced Digital Circuits, IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, Early Access, doi: 10.1109/TCAD.2025.3641040.（第一作者）

2)Hang Xu; Jianbin Guo; Tianyang Feng; Peng Liao; Yafen Yang; Qingqing Sun; David Wei Zhang, 1T Process-Compatible Active Pixel Sensor With Enhanced Light Intensity Response Range, IEEE Electron Device Letters, 46(3)(2025), 448-451.(通讯作者)

3)Jianbin Guo; Zhehong Qian; Xinru Chen; Hang Xu; Yafen Yang; David Wei Zhang, A novel self-biased pMOS clamped deep trench CSTBT with enhanced tradeoff and short-circuit capability, Scientific Reports, 15(2025), 1246.(通讯作者)

4)Hang Xu; Jianbin Guo; Tianyang Feng; Yafen Yang; David Wei Zhang, Comparative Analysis of SGTMOS Degradation Under Repeated Off-State Avalanche and Short Circuit Current Pulses, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 24(4)(2024), 596-601.(通讯作者)

5)Yafen Yang; Hang Xu; Tianyang Feng; Jianbin Guo; David Wei Zhang, Research on process-induced effect in 14-nm FinFET gate formation and digital unit optimization design, Journal of Semiconductors, 45(12)(2024), 122303.(第一作者)

6)Hang Xu; Tianyang Feng; Jianbin Guo; Yafen Yang; David Wei Zhang, Low breakdown voltage and CMOS compatible avalanche photodiode based on SOI substrate, Optics Letters, 49(15)(2024), 4310-4313.(通讯作者)

7)Hang Xu; Tianyang Feng; Jianbin Guo; Wenrong Cui; Yafen Yang; Qing-Qing Sun; David Wei Zhang, A Low Conduction Loss IGBT With Hole Path and Temperature Sensing, IEEE Transactions on Electron Devices, 70(10)(2023), 5236-5241.(通讯作者)

8)Hang Xu; Tianyang Feng; Xianghui Li; Yafen Yang; David Wei Zhang, Superjunction Reliability Analysis Under Extreme High Positive and Negative Gate Voltage Stress, IEEE Transactions on Electron Devices, 70(6)(2023), 3179-3184.(通讯作者)

9)Yafen Yang; Kai Zhang; Yi Gu; Parameswari Raju; Qiliang Li; Li Ji; Lin Chen; Dimitris E.Ioannou; Qingqing Sun; David Wei Zhang, Hao Zhu, Steep-Slope Negative Quantum Capacitance Field-Effect Transistor, 2022 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),  (2022), 22.6.1-22.6.4.(第一作者)

10)Yafen Yang; Han Li; Zhenghao Gu; Lin Chen; Hao Zhu; Li Ji; Qingqing Sun, Performance improvement in p-Type WS₂ field-effect transistors with 1T phase contacts, Nanotechnology, 32(34)(2021), 345202.(第一作者)

专利情况

1)徐航，杨雅芬，张卫，阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，授权公告号：CN115910779B。

2)张卫，徐航，杨雅芬，孙清清，郭剑斌，基于半浮栅的像素器件及其制造方法、图像传感器，授权公告号：CN120475792B。

3)徐航，杨雅芬，张卫，槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，授权公告号：CN115799310B。

4)徐航，杨雅芬，钱哲弘，崔文荣，孙清清，张卫，碳化硅器件及其制造方法，授权公告号：CN118431293B。

5)朱颢、杨雅芬、张凯、孙清清，一种负量子电容器件及其制备方法，授权公告号：CN113363317B。